CSD25202W15T

功能描述:MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA

制造商:texas instruments

系列:NexFET??

包装:剪切带(CT)

零件状态:有效

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):26 毫欧 @ 2A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.05V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):7.5nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1010pF @ 10V

功率 - 最大值:500mW

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:9-UFBGA,DSBGA

供应商器件封装:9-DSBGA

标准包装:1

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